El centro tecnológico Ikerlan, miembro de Basque Research & Technology Alliance (BRTA), ha liderado uno de los siete paquetes de trabajo del proyecto europeo UltimateGaN, que comenzó en 2019 con el objetivo de convertir al sector industrial europeo en referencia mundial en la innovación de la próxima generación de la tecnología de Nitruro de Galio (GaN). Este es un material que destaca por su capacidad de poder conducir voltajes mucho más altos sin?que?eso suponga un aumento del calor generado en dicho proceso.

El centro tecnológico de Gipuzkoa, con la participación del área de Electrónica de Potencia, ha dirigido el paquete de trabajo ‘Aplicaciones de RF y potencia del GaN’, en el que también han participado 4Fores y LEAR de España; IFAT, Fronius y TUGraz de Austria; IFAG de Alemania; IFI y UniMiB de Italia; y Eltek de Noruega. Juntos han desarrollado un cargador inalámbrico para vehículos eléctricos e híbridos que se basa en el uso de nuevos semiconductores basados en la tecnología GaN, una tecnología muy nueva para esta aplicación, pues son muestras y aún no están en el mercado.

Según explica Luis Mir, responsable del departamento de Electrónica de Potencia en Ikerlan, “estos semiconductores ofrecen dos grandes ventajas con respecto a los que se usan hoy en día, los cuales se basan en silicio. Y es que son más compactos y se calientan menos, es decir, tienen menores pérdidas. Eso ha permitido diseñar un cargador muy compacto, y de una eficiencia elevada, del 95% cuando los cargadores actuales están por debajo del 93%”.

En el proyecto han participado 26 socios de 9 países de Europa, entre los que se encuentran centros de investigación, universidades y empresas: Infineon Technologies Austria (IFAT), Fronius International, SAL, TUgraz – Graz University of Technology y AT & S Austria Technologie & Systemtechnik AG de Austria; IMEC de Bélgica; AIXTRON, Infineon Technologies (IFAG) , Siltronic, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Fraunhofer, Technische Universität Chemnitz y NaMLab de Alemania; Università degli studi di Padova, Infineon Technologies Italia (IFI) y Università di Milano Bicocca de Italia; Eltek de Noruega; Slovak University of Technology y NanoDesign de Eslovaquia; École polytechnique fédérale de Lausanne y Attolight de Suiza; Ikerlan, 4fores y LEAR de España; y RISE Research Institutes of Sweden?y SweGaN de Suecia.

Fuente: Grupo Spri.